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高抗“灰迹”KTP晶体 (High Gray Track Resistance KTP, HGTR KTP)

高抗灰迹 KTP晶体,由于在其生长控制过程中采用了特有的助熔剂和热处理技术等先进的工艺方法,与普通熔盐法(Flux method)生长的KTP晶体相比,具有高达10倍的抗灰迹能力。 众所周知,普通熔盐法KTP晶体,应用于高功率密度激光频率转换时,因其本身的灰迹(注①)和光折变效应,输出功率会在很短的时间内快速下降, 而HGTR KTP晶体则可以长期稳定地应用于高功率激光的频率转换,而且因其良好的温度稳定性和较高的转换效率,具有比LBO晶体更优越的性能价格比。

规格

吸收系数:α< 10-5/cm @ 1064nm & α< 0.01/cm @ 532nm
畴结构: 单畴
镀膜后晶体损伤阈值:≥ 600 MW/cm2 @ 1064nm, for 10 ns 脉冲

可提供HGTR KTP晶体器件 (应用于SHG, SFG, DFG和OPO)

最大通光口径:8mm x 8mm
最大长度:X 轴方向 15mm
镀膜标准指标:双点增透 R < 0.2%

光学加工标准指标:

平面度:λ/10
平行度:5 弧秒
侧垂:5 弧分
表面光洁度:100倍放大镜下 10/5 S/D

注①:KTP晶体的灰迹效应
下图所表示的是当功率密度为10kW/cm2的514nm绿色激光射入不同KTP晶体前后,各种晶体对1064nm红外光吸收增长情况的测试结果。


由以上测试曲线所表示的结果,HGTR KTP晶体本身的红外吸收,及其在绿光照射下所导致的红外吸收增长即所谓的灰迹效应,都大大地低于普通溶盐法和水热法生长的KTP晶体。

 

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